Будущее цифровой экономики — за СХД на основе all-flash решений
Данные — основной фактор производства в цифровой экономике. Это товар, который необходимо хранить, быстро обрабатывать, эффективно защищать. С развитием технологий возникает необходимость работать с большими объемами информации, и встает вопрос об использовании все более мощных систем хранения данных (СХД). Понимая необходимость собственных разработок и производства в области цифровой экономики, правительство России предлагает ряд инструментов поддержки отечественных компаний. Так, в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы» Минобрнауки РФ был создан первый твердотельный накопитель (SSD) NVMe в форм-факторе U.2, разработанный и произведенный в России. Это совместный проект центра разработки и производства микроэлектроники GS Nanotech (в составе холдинга GS Group) и Петрозаводского государственного университета.Проект номинирован на премию «Инновация года» издания CNews. Генеральный директор GS Nanotech Евгений Масленников рассказал об особенностях этой разработки.
В этом году мы совместно с ПетрГУ представили опытные образцы твердотельного накопителя (SSD) NVMe в форм-факторе U.2. Он создан специально для построения высокопроизводительных систем хранения данных (СХД) на основе all-flash решений. Использование SSD дает неоспоримые преимущества по сравнению с жесткими дисками (HDD). Твердотельный накопитель в 100 раз быстрее, потребляет на 35 % меньше энергии, служит в 2–3 раза дольше. Видя перспективность этого направления, мы с партнерами сосредоточились на разработке отечественного SSD.
Наше решение полностью разработано в России и произведено на основе NAND-памяти, корпусированной в нашей стране. На текущий момент это максимально возможный уровень локализации таких устройств в РФ. Производство реализовано на мощностях инновационного кластера «Технополис GS», расположенного в Калининградской области.
SSD NVMe в форм-факторе U.2 оснащен интерфейсом PCIe Gen3 x4 и имеет емкость до 1920 Гбайт. Скорость последовательной записи на это устройство может достигать 1000 Мбайт/с, скорость последовательного чтения — 3200 Мбайт/с. Максимальное количество операций ввода-вывода в секунду при произвольной записи — 30 000 IOPS, при произвольном чтении — 360 000 IOPS.
GS Nanotech занимается разработкой и массовым производством SSD с 2016 года. Сегодня мы предлагаем целую линейку твердотельных накопителей клиентского и корпоративного классов с интерфейсами SATA 3.0 и PCI Express емкостью до 2 Тбайт в нескольких форм-факторах. В основе накопителей использованы произведенные в GS Nanotech модули памяти, в составе которых — последнее поколение кристаллов NAND-памяти от ведущих мировых производителей.
SSD NVMe в форм-факторе U.2 создан в рамках консорциума разработчиков и производителей решений для СХД. Мы организовали его с ПетрГУ в 2019 году с целью формирования рынка конкурентоспособных высокотехнологичных продуктов. Наше сотрудничество с ПетрГУ продолжается. На основе разработанных накопителей NVMe мы собираемся построить высокопроизводительные решения для СХД и ЦОД.
Наше решение полностью разработано в России и произведено на основе NAND-памяти, корпусированной в нашей стране. На текущий момент это максимально возможный уровень локализации таких устройств в РФ. Производство реализовано на мощностях инновационного кластера «Технополис GS», расположенного в Калининградской области.
SSD NVMe в форм-факторе U.2 оснащен интерфейсом PCIe Gen3 x4 и имеет емкость до 1920 Гбайт. Скорость последовательной записи на это устройство может достигать 1000 Мбайт/с, скорость последовательного чтения — 3200 Мбайт/с. Максимальное количество операций ввода-вывода в секунду при произвольной записи — 30 000 IOPS, при произвольном чтении — 360 000 IOPS.
GS Nanotech занимается разработкой и массовым производством SSD с 2016 года. Сегодня мы предлагаем целую линейку твердотельных накопителей клиентского и корпоративного классов с интерфейсами SATA 3.0 и PCI Express емкостью до 2 Тбайт в нескольких форм-факторах. В основе накопителей использованы произведенные в GS Nanotech модули памяти, в составе которых — последнее поколение кристаллов NAND-памяти от ведущих мировых производителей.
SSD NVMe в форм-факторе U.2 создан в рамках консорциума разработчиков и производителей решений для СХД. Мы организовали его с ПетрГУ в 2019 году с целью формирования рынка конкурентоспособных высокотехнологичных продуктов. Наше сотрудничество с ПетрГУ продолжается. На основе разработанных накопителей NVMe мы собираемся построить высокопроизводительные решения для СХД и ЦОД.
Источник:
https://atos.net/ru/russia